（1）蚀刻以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层。

　　（2）去疵用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利于后序加工。

　　（3）抛光对晶片的边缘和表面进行抛光处理，一来进一步去掉附着在晶片上的微粒，二来获得表面平整度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加工。

　　（4）清洗将加工完成的晶片进行彻底清洗、风干。

　　（5）检验进行检验以保证产达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。

　　（6）包装将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，准备发往以下的芯片制造车间或出厂发往订货客户。